Перспективная память Phase-change Random Access Memory (PRAM) прежде всего интересна своей потенциально высокой скоростью работы – она примерно в 30 раз быстрее современной флэш-памяти. При этом для её перезаписи не требуется стирание предварительных данных, что не приводит к износу. Так, PRAM обещает быть более долговечной, чем флэш-устройства – срок её службы более чем в 10 раз дольше.
На протяжении двух лет разработки памяти с произвольным доступом, построенной на переходе вещества из одного фазового состояния в другое, велись в разных компаниях, среди которых ведущими разработчиками являются Samsung и Numonyx (совместное предприятие Intel). Теперь оба разработчика памяти, способной заменить одновременно оперативную память и флэш-память, решили объединить усилия.
Так, компании Samsung Electronics и Numonyx B.V. объявили о совместной разработке спецификаций новых продуктов, получивших обозначение PCM (Phase Change Memory). Как утверждается, память нового поколения поможет производителям компьютеров, мобильных устройств и встраиваемых систем удовлетворить требованиям повышения производительности и снижения энергопотребления. Создание общей аппаратно-программной платформы PCM даст возможность упростить разработку продукции и сократить связанные с ней затраты времени. Изготовители конечной продукции смогут быстро переключаться между компонентами производства разных компаний.
Как мы уже сказали, ключевыми преимуществами PCM над используемыми сейчас технологиями памяти является потрясающе высокое быстродействие и надежность, и низкое энергопотребление. Партнеры рассчитывают завершить разработку спецификации, поддерживающей стандарт JEDEC LPDDR2, в текущем году, а появление продукции, удовлетворяющей ее требованиям, ожидается в будущем году.